34.
रवा म जब इलेक्ट्रॉन ऋणायन द्वारा खाली स्थान में पकड़ लिया जात
होता है ?
(A)
शॉट्की दोष
(B)
फ्रेंकेल दोष
(C)
F-centre
(D)
इनमें से कोई नह
When an electron occupies the empty space of negatively c
defect in crystal is
(A)
Schottky defect
(B) Frenkel defe
(C)
F-centre
(D)
None of the
गा
होता है
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Answer:
जात
होता है ?
(A)
शॉट्की दोष
(B)
फ्रेंकेल दोष
(C)
F-centre
(D)
इनमें से कोई नह
When an electron occupies the empty space of negatively c
defect in crystal is
(A)
Schottky defect
(B) Frenkel defe
(C)
F-centre
(D)
None of the
गा
होता है
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(C) F-centre
- एक एफ केंद्र या फारबे केंद्र (मूल जर्मन फारबज़ेंट्रम से, जहां फारबे का मतलब रंग और ज़ेंट्रम का मतलब केंद्र होता है) एक प्रकार का क्रिस्टलोग्राफिक दोष है जिसमें क्रिस्टल जाली में एक आयनिक रिक्ति एक या एक से अधिक अयुग्मित इलेक्ट्रॉनों द्वारा कब्जा कर ली जाती है।
- एक क्रिस्टल जाली में इस तरह की रिक्ति में इलेक्ट्रॉन दृश्यमान स्पेक्ट्रम में प्रकाश को अवशोषित करते हैं जैसे कि एक सामग्री जो आमतौर पर पारदर्शी होती है वह रंगीन हो जाती है। F केंद्रों की संख्या जितनी अधिक होगी, यौगिक का रंग उतना ही अधिक तीव्र होगा। एफ केंद्र एक प्रकार का रंग केंद्र है। इसका उपयोग कई यौगिकों, विशेष रूप से जिंक ऑक्साइड (पीला) की पहचान के लिए किया जाता है।
- एफ केंद्र स्वाभाविक रूप से यौगिकों (विशेष रूप से धातु ऑक्साइड) में हो सकते हैं क्योंकि उच्च तापमान पर गर्म होने पर आयन उत्तेजित हो जाते हैं और खाली जगहों में कुछ इलेक्ट्रॉनों को पीछे छोड़ते हुए अपने सामान्य क्रिस्टलोग्राफिक पदों से विस्थापित हो जाते हैं। यह प्रभाव धातु-आधिक्य दोष वाले आयनिक यौगिकों द्वारा भी प्रदर्शित किया जाता है।
- सामग्री और विकिरण ऊर्जा के आधार पर विभिन्न प्रकार के इलेक्ट्रॉन केंद्र होते हैं। एक एफ केंद्र आमतौर पर एक जाली में एक स्थिति होती है जहां एक आयन, एक नकारात्मक चार्ज आयन, एक इलेक्ट्रॉन द्वारा प्रतिस्थापित किया जाता है। एक एच केंद्र (एक हलोजन अंतरालीय) एक अर्थ में एक एफ केंद्र के विपरीत है, ताकि जब दोनों एक क्रिस्टल में संपर्क में आते हैं तो वे गठबंधन करते हैं और दोनों दोषों को रद्द कर देते हैं। इस प्रक्रिया को फोटोप्रेरित किया जा सकता है, उदाहरण के लिए, लेजर का उपयोग करना।
अतः विकल्प C सही है।
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#SPJ2
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