किसी p-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौनसा कथन सही है?
(1) इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक वाहक हैं तथा त्रिकसंयोजक परमाणु मादक (डोपैन्ट) हैं।
(2) विवर बहुसंख्यक वाहक हैं तथा त्रिकसंयोजक परमाणु मादक (डोपैन्ट) हैं।
(3) विवर बहुसंख्यक वाहक हैं तथा पंचसंयोजक परमाणु मादक (डोपैन्ट) हैं।
(4) इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक वाहक हैं तथा पंचसंयोजक परमाणु मादक (डोपैन्ट) हैं।
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Answer:
विवर बहुसंख्यक वाहक हैं तथा त्रिकसंयोजक परमाणु मादक (डोपैन्ट) हैं।
Explanation:
The electronic configuration of
Silicon (semiconductor) = 2,8,4
Boron(trivalent element) = 2,3
When we doped the trivalent impurities in the pure semiconductor. So it is clear from the electronic configuration of silicon and Boron that si has 4 electron in the valence shell to make four co-valent bond and Boron has three electron in the valence shell to make three co-valent bond so the all three electron of Boron make three co-valent bond with the three electron of the silicon but the fourth electron of silicon can not make co-valent bond due to lake of an electron so because of this reason the empty space is created and this empty space is called "hole".
In the p type semiconductor the existence of p type material is very large so it has more holes as compared to the electron .
It is clear from the above reason that the majority carrier in p type semiconductor is holes and the doping material is trivalent.